Q. 식각 조건 튜닝 시 reflected power 발생과 공정 조건 관계

답변 6

• 황

  황금파이프삼성전자

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  일치

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  1. 흔하게 발생하는 일입니다. 공정을 최적화 했더라도 기타 여러 가지 원인으로 종종 발생합니다. 2. 공정 관점에서 보는 그런데 설비 관점에서 보면 파츠의 노후화, 전 스텝영향성, 시편의 영향성 등을 종합적으로 고려해야합니다. 3. CCP와 ICP는 플라즈가 발생 원리 자체가 다르기 때문에 RF 계열 문제가 발생한 것으로 보여집니다. 평균적으로 사용하는 파라미터는 논문을 참고하세요.

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• 개

  개미는오늘도뚠뚠삼성전자

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  안녕하세요 멘티님 취준한파속 고생많습니다. 질문에 대해 답변드리겠습니다,네 공정 모니터링 하다보면, 흔하게 발생하는 이슈입니다. 네 그러다보니 조치법도 어느정도 고정되어있는데요, 말씀해주신 부분대로 조치하고 있습니다. 당연히 장비에 따른 파라미터 변수 설정은 다 다릅니다.

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• 흰

  흰수염치킨삼성전자

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  안녕하세요. 멘토 흰수염치킨입니다. 1)네 흔하게 발생해요 2)파라미터 변경할때도 있고 특정 파츠들 교체하기도 해요 3)장비 모델별로 파라미터는 다 달라요 도움이 되었으면 좋겠네요. ^_^

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• P

  PRO액티브현대트랜시스

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  안녕하세요 멘티님~~ RIE-CCP 공정에서 reflected power가 튀며 플라즈마가 불안정해지는 현상은 공정 튜닝 과정에서 비교적 흔히 발생합니다. 임피던스 매칭이 맞지 않거나 압력·가스 조성 변화로 플라즈마 밀도가 달라질 때 나타납니다. 파워, 가스 유량, 압력을 조정해 안정화시키는 접근도 일반적인 방법이며 매칭 네트워크가 안정적으로 RF를 전달하도록 조건을 찾는 과정입니다. 또한 ICP 레시피를 CCP에 그대로 적용하면 플라즈마 밀도와 결합 방식이 달라 문제가 생길 수 있습니다.

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• 멘

  멘토 지니KT

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  ● 채택 부탁드립니다 ● RIE CCP 공정에서 reflected power가 발생하며 플라즈마가 불안정해지는 현상은 비교적 흔하게 발생하는 이슈입니다. 플라즈마 임피던스와 RF 매칭 상태가 맞지 않을 때 반사전력이 증가하며 깜박임이 나타날 수 있습니다. 이런 경우 파워, 가스 유량, 압력 조건을 조정해 플라즈마 밀도와 임피던스를 안정화시키는 방식은 일반적으로 사용하는 접근입니다. 다만 ICP와 CCP는 플라즈마 생성 방식과 밀도 특성이 달라 동일한 레시피를 그대로 적용하면 불안정이 발생하기 쉽습니다. 장비 타입과 챔버 구조에 따라 파워 범위, 압력, 가스 유량의 안정 구간이 다르기 때문에 CCP 기준으로 조건을 새롭게 스윕하면서 안정 구간을 찾는 방식으로 접근하는 것이 가장 일반적인 방법입니다.

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• 탁

  탁기사삼성전자

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  1. 현업에서도 플라즈마 파워가 낮아지거나 높아지거나 파동을 그리긴 하나 훅 낮아지고 높아지는 경우에는 센서가 바로감지하며 그렇게되면 장비안정성이 떨어지므로 최대한 값 산포를 유지하려고 노력합니다. 흔하진 않아요 ㅎ 설비문제가생기면 훅 떨어집니다 2. 보통 발생하면 다른 조건을 바꿔서 맞추기보다는 부품을 교체하거나 다른 설비로 path를 전환합니다. 그게어렵다면, 최대한 그 플라즈마를 사용하는 제품을 줄이고 그게안된다면 최후로 레시피를 변경해서 파워 압력 등을 조절하는데... 공정레시피는 최적화돼있어서 잘 건드리지는 않습니다. 다만 질문자분은 자소서나 이런데는 충분히 어필하기 좋은 소재인 것 같아요~ 3. 코일 타입을 바꾸면 공정레시피를 다시잡아야합니다. 소스파워가 달라지니..이런식으로 엮어서 어필하면 좋을 듯 해요~~

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